エピタキシャル成長装置の世界シェアと主要企業

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エピタキシャル成長装置は製品タイプによって主要な供給企業が異なります。本記事では、タイプ別の違いを踏まえながらエピタキシャル成長装置市場の世界シェアと主要企業を整理します。

エピタキシャル成長装置の主な製品タイプ

LEDエピタキシャル成長装置
レーザーダイオードエピタキシャル成長装置
RF エピタキシャル成長装置
MEMS エピタキシャル成長装置

タイプ別に見た供給構造

エピタキシャル成長装置市場は、大きくLED用、レーザーダイオード（LD）用、RF用、MEMS用の四つの製品タイプに分かれています。これらの装置は、それぞれが成長させる結晶層の組成や精密さ、そして動作周波数や電流密度といった最終デバイスの要求特性に応じて、技術的に明確な違いがあります。例えば、LED用は大口径基板で均一な発光層を安定的に成長させる技術が重要視される一方、LD用では極めて高精度な膜厚制御と低欠陥密度が求められます。RF用は高周波特性を左右するヘテロ接合界面の急峻性が生命線であり、MEMS用では構造的ストレスやエッチング耐性を考慮した多層膜の選択的成長技術が核となります。こうした各分野に特化した高度な結晶成長技術や独自のプロセスノウハウは容易に他分野へ転用できず、加えて顧客との密接な連携による最適化が必須であるため、装置メーカーは自社のコア技術と市場シェアに応じて一つの分野に特化する傾向が強くなっています。

主要な供給企業

II-VI Incorporated
AIXTRON
AMEC-INC
Applied Materials
Cree, Inc
DOWA Electronics Materials
DuPont
IntelliEPI
IQE
LPE
MACOM
Merck
Mitsubishi Chemical
NAURA
NuFlare Technology
Optowell
Riber
Shin-Etsu
Siltronic
Strem Chemicals
Sumitomo Electric Industries
Taiyo Nippon Sanso
Tokyo Electron Ltd
Umicore
ULVAC

各社が強いセグメント

LED（発光ダイオード）向けエピタキシャル成長装置分野では、AIXTRONとVeeco（記載なし、ただし代替として東京エレクトロンが存在）やULVACが強みを持ちますが、今回のリストではAIXTRONが最も著名であり、特に量産型MOCVD装置で多くのLEDメーカーに採用されています。一方、レーザーダイオード向けでは、II-VI Incorporatedが垂直共振器面発光レーザー（VCSEL）などの分野で高いシェアを持ち、住友電気工業が光通信用の化合物半導体エピタキシャル成長でリードしています。RF（高周波）エピタキシャル成長装置については、Cree（現Wolfspeed）やMACOMがGaN-on-SiC基板を用いたパワーアンプ向けで強く、アプライドマテリアルズや東京エレクトロンもシリコン系のRFデバイス向けに重要です。MEMS（微小電気機械システム）エピタキシャル成長装置では、AMEC-INCやNAURAが中国市場で台頭しつつあり、リバーや東洋炭素（トーカイ）も特殊なエピタキシャル成長プロセスで実績があります。また、信越化学やSUMCO（シルトロニック）の子会社を含む素材メーカーは、高品質な基板供給で間接的に各装置市場を支えています。

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